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平成20年2月29日
ローム・アンド・ハース社
IBMと３２nmノード イオンインプラント工程材料で共同開発を発表
ローム・アンド・ハース社（NYSE: ROH）エレクトロニック・マテリアルズ部門マイクロエレクトロニック・テクノロ
ジー事業部（米国マサチューセッツ州マルボロ）は、このたび、米IBMコーポレーション（以下、IBM）との間で、
32 nmノード以降のイオンインプラント工程における材料およびプロセスに関して共同開発契約を締結したと
発表しました。
イオンインプラント工程は、半導体デバイスの中心となる各種トランジスタ製造における重要な工程となり、
このリソグラフィー工程で、超微細化された領域に対し選択的にイオン注入することができます。
32nm以降では、イオンインプラント工程が不可欠となっていますが、これに伴い技術的課題が生じています。
また、半導体設計の微小化が進んだ結果、トランジスタ形成に新しい技術が求められています。今後、ロジ
ック設計においてフォトリソグラフィー工程の約40パーセントは、インプラント工程が必要になると予想されて
います。
「次世代ノードにおける難しい技術的な問題に対する適切なソリューションは、優れたエンジニアリング技術
や設計だけではなく、半導体産業におけるリーディングカンパニーとの緊密な連携が必要になってきていま
す。IBMと提携することで、新しい材料開発を加速させることが可能になり、また32および22nmノードに対す
るニーズを満たす上で、確実に前進できると考えています」と、ローム・アンド・ハース社エレクトロニック・マ
テリアルズ部門、マイクロエレクトロニック・マテリアルズ事業部ジェームス・フェイフィー（James Fafey）ディ
レクターは述べています。
「32nmノード以降でのリソグラフィーには多くの選択肢がありますが、両社の連携がこうした特殊な課題に対
するソリューションを構築する際に役立つことになるでしょう」と、IBMマイクロエレクトロニクス部門技術理事
トータル・パターニング・ソルーション担当のジョージ・ボムバ（George Bomba) 氏はコメントしています。
共同研究開発は、IBMのイーストフィッシュキル、ヨークタウンアルバニーにある施設、およびマサチューセッ
ツ州マルボロにあるローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズの先端技術センターで実施される
ます。また同技術センターでは、2008年6月までにウルトラ・ハイNA193nm液浸装置が導入される予定です。
ローム・アンド・ハース社 (NYSE: ROH)
1909年に創立されたローム・アンド・ハース社は、米国フィラデルフィアに本社を置く特殊素材メーカーです。創立以来約1
世紀の経験から培った技術力でお客様の次世代を狙う製品、サービスおよびソリューションを提供しています。当社の技術は、建築、エレクトロニクス、産業プロセス、パッケージング、輸送、日用品、水、食料品など、幅広い分野で世界中の人々の生活に役に立てられています。2007年には約89億ドルの売り上げを計上しています。詳しくは当社のホームページwww.rohmhaas.co.jpをご覧ください。
ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ （日本法人： ローム・アンド・ハース電子材料株式会社 東京都千代田区、代表取締役社長： 渡邉憲也）
ローム・アンド・ハース社エレクトロニック・マテリアルズ部門は、電子部品・光部品への革新的な材料技術と製造技術のソリューションおよびプロセスを開発・提供しています。その製品と技術は、プリント回路基板、フラットパネルディスプレイ、半導体製造および先端パッケージング産業を中心に、世界中の電子産業に貢献しています。
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本件に関するお問い合わせ先：
ローム・アンド・ハース・ジャパン株式会社
ローム・アンド・ハース電子材料株式会社
コーポレート・コミュニケーションズ カルデラ久美子
〒012-0075
東京都千代田区三番町6-3
TEL： 03-6238-4214
kcaldeira@rohmhaas.com
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